IT之家 11 月 1 日音信，左证 DigiTimes 报谈，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 闪现比特派bsv，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个加多到 4 个，有望澄清改善性能和功耗。
三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的杰出地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，运筹帷幄 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过加多纳米片数目进一步改善工艺。
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每个晶体管加多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而进步性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关才融合启动速率。
此外比特派bsv，更多的纳米片不错更好地限度电流，这有助于减少走电流，从而裁减功耗。此外，改动的电流限度还意味着晶体管产生的热量更少，从而进步了功率效果。
IT之家此前报谈，三星还运筹帷幄在 1.4nm 工艺中聘请背部供电（BSPDN）技能，旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲，但于今仍未在大家鸿沟内引申。
天然现在半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技能节点进行系统定名，但毫无疑问现在的工艺技能亦然数字越小越先进。
跟着半导体工艺微缩路子箝制地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也箝制缩窄，从而对互相产生干涉，而 BSPDN 技能则不错克服这一罢休，这是因为咱们不错行使晶圆后面来构建供电路子，以分隔电路和电源空间。
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